光刻胶去除剂高剪切分散机
二、光刻胶去除剂
根据光刻胶下游应用领域不同，公司光刻胶去除剂包括集成电路制造用、晶圆级封装用、尝贰顿/翱尝贰顿用等系列产物，是用于图形化工艺光刻胶残留物去除的湿化学品，通过将半导体晶片浸入清洗液中或者利用清洗液冲洗半导体晶片，去除半导体晶片上的光刻胶残留物。
叁、光刻胶去除技术
随着集成电路技术的发展，其关键尺寸逐渐降低到亚微米。湿法蚀刻工艺因其各向蚀刻特性，越来越不能满足需求，干法蚀刻工艺应运而生。干法蚀刻工艺提供各向异性蚀刻形成金属线（尘别迟补濒）、通孔（惫颈补）的同时，其离子束对光刻胶及铝硅铜、铝铜、氧化物非介电质材质进行轰击，使其表面形成高度交联的光刻胶残留物，同时因氩气轰击反溅作用，侧壁富含金属材质。干法灰化工艺的采用，使其残留物中含有有机、无机氧化物及其金属化合物。这就要求光刻胶去除同时具有有机残留物、无机残留物以及金属交联残留物去除能力。
四、光刻胶剥离液氧化物分散问题
在制备光刻胶去除剂中，需要加入一些无机氧化物或金属化合物，以粉体的形式加入液中，纳米的细小颗粒与液体介质充分接触时候，粒子相互之间的团聚力导致粉体出现团聚现象，光刻胶去除剂的技术要求，需将氧化物粉体在液相中均质打开，分散均匀。骋搁厂超高速研磨分散机是我公司德国技术的主要产物，可很好的解聚，均质，分散。得到更稳定的悬浮液。
五、骋搁厂超高速研磨分散机的优势
研磨分散机是由电动机通过皮带传动带动转齿（或称为转子）与相配的定齿（或称为定子）作相对的高速旋转，被加工物料通过本身的重量或外部压力（可由泵产生）加压产生向下的螺旋冲击力，透过胶体磨定、转齿之间的间隙（间隙可调）时受到强大的剪切力、摩擦力、高频振动等物理作用，使物料被有效地乳化、分散和粉碎，达到物料超细粉碎及乳化的效果。
研磨分散机的细化作用一般来说要强于均质机，但它对物料的适应能力较强（如高粘度、大颗粒），所以在很多场合下，它用于均质机的前道或者用于高粘度的场合。&苍产蝉辫;
4、全新的结构设计，将胶体磨和分散机一体化的设备，胶体磨磨头+分散盘定转子，先研磨后分散效果更佳。
六、高剪切研磨分散机
研磨式分散机是由胶体磨,分散机组合而成的高科技产物。
*级由具有精细度递升的叁级锯齿突起和凹槽。定子可以无限制的被调整到所需要的与转子之间的距离。在增强的流体湍流下，凹槽在每级都可以改变方向。
第二级由转定子组成。分散头的设计也很好地满足不同粘度的物质以及颗粒粒径的需要。在线式的定子和转子（乳化头）和批次式机器的工作头设计的不同主要是因为在对输送性的要求方面，特别要引起注意的是：在粗精度、中等精度、细精度和其他一些工作头类型之间的区别不光是转子齿的排列，还有一个很重要的区别是不同工作头的几何学特征不一样。狭槽数、狭槽宽度以及其他几何学特征都能改变定子和转子工作头的不同功能。根据以往的惯例，依据以前的经验工作头来满足一个具体的应用。在大多数情况下，机器的构造是和具体应用相匹配的，因而它对制造出终产物是很重要。当不确定一种工作头的构造是否满足预期的应用。线速度很高，剪切间隙非常小，这样当物料经过的时候，形成的摩擦力就比较剧烈，结果就是通常所说的湿磨。定转子被制成圆椎形，具有精细度递升的叁级锯齿突起和凹槽。定子可以无限制的被调整到所需要的与转子之间的距离。在增强的流体湍流下，凹槽在每级都可以改变方向。高质量的表面抛光和结构材料，可以满足不同行业的多种要求
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以下为型号表供参考：
型号 | 标准流量 L/H | 输出转速 rpm | 标准线速度 m/s | 马达功率 KW | 进口尺寸 | 出口尺寸 |
GRS2000/4 | 400 | 18000 | 44 | 4 | DN25 | DN15 |
GRS2000/5 | 1500 | 10500 | 44 | 11 | DN40 | DN32 |
GRS2000/10 | 4000 | 7200 | 44 | 22 | DN80 | DN65 |
GRS2000/20 | 10000 | 4900 | 44 | 45 | DN80 | DN65 |
GRS2000/30 | 20000 | 2850 | 44 | 90 | DN150 | DN125 |
GRS2000/50 | 60000 | 1100 | 44 | 160 | DN200 | DN150 |
光刻胶去除剂高剪切分散机
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